CVD培育鉆石是一種由直徑10到30納米鉆石晶體合成的多結(jié)晶鉆石，它的化學(xué)成分為碳，運(yùn)用先進(jìn)的設(shè)備模擬大自然中鉆石生長環(huán)境，通過化學(xué)氣象沉積技術(shù)（CVD）栽種而成.

MPCVD單晶金剛石沉積設(shè)備

適合的應(yīng)用:

化學(xué)氣相沉積法制備高品質(zhì)單晶金剛石

化學(xué)氣相沉積法制備高品質(zhì)多晶金剛石自支撐厚膜

化學(xué)氣相沉積法制備高品質(zhì)多晶金剛石薄膜

化學(xué)氣相沉積法制備石墨烯、碳納米管、富勒烯和金剛石膜等各種碳納米薄膜

產(chǎn)品特點(diǎn)：

本產(chǎn)品為不銹鋼腔體式6kw微波等離子體設(shè)備，功率密度高；

水冷式基片臺和水冷式金屬反映腔，保證系統(tǒng)能長時(shí)間穩(wěn)定工作；

基片溫度以微波等離子體自加熱方式達(dá)到；

真空測量儀表采用全量程真空計(jì)，可**測量本底真空和工作氣體壓強(qiáng)；

真空泵及閥門采用渦輪分子泵(極限真空為1×10-5Pa)和旋片式機(jī)械真空泵(極限真空為1Pa)，系統(tǒng)可自動控制沉積氣壓；

配備冷卻水循環(huán)系統(tǒng)，確保裝置高功率下可長時(shí)間**穩(wěn)定運(yùn)行；

系統(tǒng)帶15寸觸摸屏，PLC自動控制，可設(shè)置溫度或氣壓恒定，可保存復(fù)用多達(dá)20套工藝文件；

全自動工藝控制模塊，可以穩(wěn)定可靠地制備高品質(zhì)金剛石薄膜和晶體

技術(shù)指標(biāo)與特性：

微波系統(tǒng)（法國Sairem 微波源）	微波頻率	2450±25MHz
	輸出功率	0.6kw~6kw 連續(xù)可調(diào)
	微波調(diào)諧	三銷釘調(diào)配器，模式轉(zhuǎn)換天線
	微波反射保護(hù)	環(huán)形器，水負(fù)載
	微波工作模式	TM013
	微波泄漏	≤ 2 mw/cm2
真空系統(tǒng)	工作氣壓范圍	10~250Torr
	自動穩(wěn)壓范圍	40~250Torr
	真空泵	4.4L/s 旋片式真空泵
	系統(tǒng)漏率	<1.0x10-9 Pa?m3 /秒 (通過氦質(zhì)譜檢漏儀檢測)
	腔體保壓能力	每24 小時(shí)壓升小于0.2 乇
	本底極限真空	0.1Pa（7.5 x10-4 Torr)
	真空測量	品牌薄膜規(guī)
真空反應(yīng)腔	反應(yīng)腔材料及結(jié)構(gòu)	雙層水冷不銹鋼反應(yīng)腔
	真空密封	金屬密封+氟膠圈密封(取樣門)
	反應(yīng)腔內(nèi)徑	直徑140mm
	樣品臺窗口	105x50mm 長方形端口，帶O 形氟橡膠圈密封的前門
	觀察窗口	兩個(gè)端口，CF35 大口徑，180°分布
	測溫窗口	兩個(gè)窗口水平角度25~30°，180°分布；窗口方便從反應(yīng)腔上部的 斜角向下檢測樣品臺的溫度
樣品臺	電動升降式水冷基片臺 直徑100mm，高度可調(diào)范圍0～70mm
	鉬基片臺直徑≥50mm，在5000w, 180Torr 工作狀態(tài)，等離子體火球可覆蓋 整個(gè)基片臺
	基片臺溫度 250～1400℃（取決于工藝參數(shù)）
氣路	選用日本進(jìn)口流量計(jì)及流量控制閥
	系統(tǒng)自帶四路MFC
	四路MFC *大流速：H2: 1000sccm，CH4：100sccm，O2：20sccm，N2：2sccm
測溫系統(tǒng)	德國Raytek 紅外測溫系統(tǒng)，測溫范圍：300~1300 攝氏度
系統(tǒng)軟件	配置PLC 控制的15“觸摸顯示屏，用戶操作界面友好，所有操作均可在觸摸 屏上完成
	系統(tǒng)支持工程師和操作員兩個(gè)用戶級別，提供用戶權(quán)限管理功能
	系統(tǒng)自帶缺水，缺氣，電源缺相，火球跳變，過溫過載，打火等自動保護(hù)
	可設(shè)置多達(dá)10 套工藝配方，每套配方有40 行數(shù)據(jù)，生產(chǎn)流程通過工藝配方自 動控制，工藝數(shù)據(jù)可通過U 盤備份導(dǎo)出
	系統(tǒng)自帶全自動抽氣，點(diǎn)火，升溫，降溫等預(yù)設(shè)流程，用戶操作簡便
	全自動溫度控制，氣壓控制，極大減輕系統(tǒng)操作員的工作量